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CMPA0060025F

CMPA0060025F
Mfr. #:
CMPA0060025F
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF Amplifier GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 25 Watt
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
CMPA0060025F Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
CMPA0060025F más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Amplificador de RF
RoHS:
Y
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
QFN-32
Escribe:
Amplificador de poder
Tecnología:
GaN SiC
Frecuencia de operación:
2.5 GHz
P1dB - Punto de compresión:
33 dBm
Ganar:
19 dB
Voltaje de suministro operativo:
32 V
NF - Figura de ruido:
-
Corriente de suministro de funcionamiento:
360 mA
Embalaje:
Gofre
Rango de frecuencia:
0.03 GHz to 2.5 GHz
Producto:
GaN
Marca:
Qorvo
Número de canales:
1 Channel
Kit de desarrollo:
TGA2237-SM Eval Board
Pérdida de retorno de entrada:
10 dB
Sensible a la humedad:
Yes
Pd - Disipación de energía:
19 W
Tipo de producto:
Amplificador de RF
Cantidad de paquete de fábrica:
25
Subcategoría:
Circuitos integrados inalámbricos y RF
Voltaje de suministro - Min:
20 V
Parte # Alias:
1115388
Unidad de peso:
0.006653 oz
Tags
CMPA006002, CMPA00, CMPA0, CMPA, CMP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***o-Tech
- 25W, 20 - 6000MHz GaN HEMT MMIC Power Amplifier Flange Package
***i-Key
IC RF AMP 20MHZ-6GHZ 780019
***hardson RFPD
RF & MW POWER AMPLIFIER
GaN HEMT based MMICs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMT (High Electron Mobility Transistor) based MMICs (monolithic microwave integrated circuits) enable extremely wide bandwidths to be achieved in small footprint packages. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermal conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
CMPA0060025F
DISTI # CMPA0060025F-ND		WolfspeedIC RF AMP 20MHZ-6GHZ 780019
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray		112In Stock
  • 1:$651.7000
CMPA0060025F-TB
DISTI # CMPA0060025F-TB-ND		WolfspeedBOARD DEMO AMP CKT CMPA0060025F
RoHS: Not compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk		11In Stock
  • 1:$715.0000
CMPA0060025F
DISTI # 941-CMPA0060025F		Cree, Inc.RF Amplifier GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 25 Watt
RoHS: Compliant		30
  • 1:$651.7000
CMPA0060025F-TB
DISTI # 941-CMPA0060025F-TB		Cree, Inc.RF Development Tools Test Board without GaN MMIC
RoHS: Not compliant		4
  • 1:$715.0000
Imagen Parte # Descripción
CG2H40010F

Mfr.#: CG2H40010F

OMO.#: OMO-CG2H40010F

 RF JFET Transistors GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
SCX15DNC

Mfr.#: SCX15DNC

OMO.#: OMO-SCX15DNC

 Board Mount Pressure Sensors 0 to15psid 6PIN SIP UNAMP DIFF GAGE 20V
HCMA0503-150-R

Mfr.#: HCMA0503-150-R

OMO.#: OMO-HCMA0503-150-R-EATON

 Fixed Inductors 15uH 2.4A IND High Current
CG2H40010F

Mfr.#: CG2H40010F

OMO.#: OMO-CG2H40010F-WOLFSPEED

 RF MOSFET HEMT 28V 440166
SCX15DNC

Mfr.#: SCX15DNC

OMO.#: OMO-SCX15DNC-HONEYWELL-SENSING-PRODUCTIVITY

 Board Mount Pressure Sensors 0 to15psid 6PIN SIP UNAMP DIFF GAGE 20V
Disponibilidad
Valores:
48
En orden:
2031
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
639,38 US$
639,38 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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