MCR8DSMT4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

SCR

RoHS:

N

Corriente de ruptura IBO Max:

90 A

Voltaje nominal repetitivo en estado desactivado VDRM:

600 V

Corriente de fuga fuera de estado @ VDRM IDRM:

10 uA

Vf - Voltaje directo:

1.8 V

Voltaje inverso pico máximo de la puerta:

18 V

Voltaje de activación de puerta - Vgt:

1 V

Corriente de activación de puerta - Igt:

0.2 mA

Manteniendo la corriente Ih Max:

6 mA

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 110 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3 (DPAK)

Embalaje:

Carrete

Valoración actual:

5.1 A

Altura:

2.38 mm

Longitud:

6.73 mm

Escribe:

SCR

Ancho:

6.22 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente en estado no repetitiva:

90 A

Tipo de producto:

SCR

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Tiristores

Tags

MCR8DSMT, MCR8DSM, MCR8DS, MCR8D, MCR8, MCR