IRFL014TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

200 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

11 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.8 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

IRFL

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.5 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

1.9 S

Otoño:

19 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

50 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.008818 oz

Tags

IRFL014TRP, IRFL014T, IRFL01, IRFL0, IRFL, IRF