HUFA76619D3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

65 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

75 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

16.3 mm

Longitud:

10.67 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

42 ns, 52 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

82 ns, 30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

75

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32 ns, 30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns, 6 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

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