ZXMN3B04N8TA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

25 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.5 mm

Longitud:

5 mm

Serie:

ZXMN3B04

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4 mm

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

16.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

40 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

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