IXTU01N100

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

100 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

80 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

25 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

6.22 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

IXTU01N100

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

2.38 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

160 mS

Otoño:

28 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

70

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Unidad de peso:

0.015168 oz

Tags

IXTU01N, IXTU01, IXTU0, IXTU, IXT