NTMFD5C446NLT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

145 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.65 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

54 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

138 S

Otoño:

15.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

34.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14.8 ns

Tags

NTMFD5C4, NTMFD5, NTMFD, NTMF, NTM