FDG8842CZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V, 25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

750 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

400 mOhms, 1.1 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V, - 8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

360 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FDG8842CZ

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

1 ns, 16 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1 ns, 16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9 nS, 35 nS

Tiempo típico de retardo de encendido:

4 nS, 6 nS

Unidad de peso:

0.000988 oz

Tags

FDG884, FDG88, FDG8, FDG