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SI7374DP-T1-E3

SI7374DP-T1-E3
Mfr. #:
SI7374DP-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7374DP-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7374DP-E3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SO-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Single with Schottky Diode
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
5 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
10 ns
Hora de levantarse
160 ns 15 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
23.8 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
5.5 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
30 ns 42 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
40 ns 15 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI737, SI73, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 30V 23.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
***
N-CH 30-V (D-S) W/SCHOTTKY
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:24000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0066ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation, Pd:5W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7374DP-T1-E3
DISTI # SI7374DP-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.6678
SI7374DP-T1-E3
DISTI # SI7374DP-T1-E3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7374DP-T1-E3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$1.5900
  • 6000:$1.5900
  • 12000:$1.4900
  • 18000:$1.4900
  • 30000:$1.3900
SI7374DP-T1-E3
DISTI # 781-SI7374DP-T1-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$3.2000
  • 10:$2.6500
  • 100:$2.1800
  • 250:$2.1100
  • 500:$1.9200
  • 1000:$1.9100
  • 3000:$1.9000
SI7374DP-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10VAmericas -
    Imagen Parte # Descripción
    SI7374DP-T1-E3

    Mfr.#: SI7374DP-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7374DP-T1-E3

    		 MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
    SI7374DP-T1-GE3

    Mfr.#: SI7374DP-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7374DP-T1-GE3

    		 MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
    SI7374DP-T1-E3

    Mfr.#: SI7374DP-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI7374DP-T1-E3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
    SI7374DP-T1-GE3

    Mfr.#: SI7374DP-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI7374DP-T1-GE3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    5500
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de SI7374DP-T1-E3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    2,08 US$
    2,08 US$
    10
    1,98 US$
    19,81 US$
    100
    1,88 US$
    187,65 US$
    500
    1,77 US$
    886,15 US$
    1000
    1,67 US$
    1 668,00 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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