BSS209PWH6327XTSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

630 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

550 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

- 1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

BSS209

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

870 mS

Otoño:

4.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.6 ns

Parte # Alias:

BSS209PW BSS29PWH6327XT H6327 SP000750498

Unidad de peso:

0.000176 oz

Tags

BSS209PWH, BSS209P, BSS209, BSS20, BSS2, BSS