NTLUF4189NZTAG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

UDFN-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

145 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

1.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.3 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Serie:

NTLUF4189NZ

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

1.1 S

Otoño:

1.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10.2 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Unidad de peso:

0.000698 oz

Tags

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