IXTA3N100D2HV

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263HV-2

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

37.5 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Agotamiento

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Otoño:

40 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

67 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

34 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

27 ns

Tags

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