FDG332PZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

95 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

750 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FDG332PZ

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

4.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

59 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.2 ns

Unidad de peso:

0.000988 oz

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FDG332PZ, FDG332, FDG33, FDG3, FDG