VT6Z1T2R

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VMT-6

Polaridad del transistor:

NPN, PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

20 V

Colector- Voltaje base VCBO:

20 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

120 mV

Corriente máxima del colector de CC:

400 mA, - 400 mA

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

350 MHz, 400 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

VT6Z1

Ganancia de corriente CC hFE Max:

560

Embalaje:

Carrete

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

200 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

8000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

VT6Z1

Tags

VT6Z, VT6