FDD3510H

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-5

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

80 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

80 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.39 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

FDD3510H

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

2 ns, 5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2 ns, 3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

16 ns, 25 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 6 ns

Unidad de peso:

0.009184 oz

Tags

FDD35, FDD3, FDD