SQ1464EEH-T1_GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

440 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.41 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

4.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

0.43 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

5.5 S

Otoño:

7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Tags

SQ14, SQ1