IRF3205STRRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

55 V

Id - Corriente de drenaje continua:

110 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

97.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

200 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia HEXFET

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

44 S

Otoño:

65 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

101 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Parte # Alias:

SP001564448

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

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