APTGV100H60T3G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Configuración:

Puente completo

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

600 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.5 V, 2 V

Corriente continua del colector a 25 C:

150 A, 110 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

400 nA, 150 nA

Pd - Disipación de energía:

340 W, 416 W

Paquete / Caja:

SP3-32

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 100 C

Marca:

Microchip / Microsemi

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

IGBT

Tags

APTGV, APTG, APT