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SP8K4FU6TB

SP8K4FU6TB
Mfr. #:
SP8K4FU6TB
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SP8K4FU6TB Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Semiconductor Rohm
categoria de producto
FET: matrices
Serie
-
embalaje
Tape & Reel (TR)
Unidad de peso
0.030018 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-SOP
Configuración
Dual Dual Drain
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Potencia máxima
2W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
1190pF @ 10V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
9A
Rds-On-Max-Id-Vgs
17 mOhm @ 9A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 1mA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
21nC @ 5V
Disipación de potencia Pd
2 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
22 ns
Hora de levantarse
15 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
9 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
17 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
55 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
10 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SP8K4, SP8K, SP8
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
***ment14 APAC
MOSFET, DUAL, NN, 30V, 9A; Transistor Polarity:N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOP; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Continuous Drain Current Id:9A; Current Id Max:9A; Drain Source Voltage Vds:30V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):24mohm; Package / Case:SOP-8; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:36A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4V; Voltage Vgs th Max:2.5V; Voltage Vgs th Min:1V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SP8K4FU6TB
DISTI # SP8K4FU6TB-ND		ROHM SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 2500:$0.8910
SP8K4FU6TB
DISTI # 755-SP8K4FU6TB		ROHM SemiconductorMOSFET 30V 9A N-CHAN DUAL
RoHS: Compliant		0
    Imagen Parte # Descripción
    SP8K4FU6TB

    Mfr.#: SP8K4FU6TB

    OMO.#: OMO-SP8K4FU6TB

    		 MOSFET 30V 9A N-CHAN DUAL
    SP8K4FU6TB

    Mfr.#: SP8K4FU6TB

    OMO.#: OMO-SP8K4FU6TB-ROHM-SEMI

    		 MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOIC
    SP8K4TB1

    Mfr.#: SP8K4TB1

    OMO.#: OMO-SP8K4TB1-1190

    		 Nuevo y original
    SP8K4

    Mfr.#: SP8K4

    OMO.#: OMO-SP8K4-1190

    		 Nuevo y original
    SP8K4 TB

    Mfr.#: SP8K4 TB

    OMO.#: OMO-SP8K4-TB-1190

    		 Nuevo y original
    SP8K4FU7TB

    Mfr.#: SP8K4FU7TB

    OMO.#: OMO-SP8K4FU7TB-1190

    		 Nuevo y original
    SP8K4G--TB1

    Mfr.#: SP8K4G--TB1

    OMO.#: OMO-SP8K4G--TB1-1190

    		 Nuevo y original
    SP8K4GTB1

    Mfr.#: SP8K4GTB1

    OMO.#: OMO-SP8K4GTB1-1190

    		 Nuevo y original
    SP8K4TB

    Mfr.#: SP8K4TB

    OMO.#: OMO-SP8K4TB-ROHM-SEMI

    		 MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    1500
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    El precio actual de SP8K4FU6TB es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    0,88 US$
    0,88 US$
    10
    0,84 US$
    8,37 US$
    100
    0,79 US$
    79,30 US$
    500
    0,75 US$
    374,45 US$
    1000
    0,70 US$
    704,90 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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