MTD5P06VT4GV

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

340 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Qg - Carga de puerta:

12 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

40 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

3.6 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

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