DMT10H015LFG-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerDI3333-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

42 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

13.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

33.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerDI

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

DMT10

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

8.1 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.5 ns

Unidad de peso:

0.002540 oz

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