BSS123NH6327XT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

190 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

900 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

410 mS

Otoño:

22 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

7.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.3 ns

Parte # Alias:

BSS123N BSS123NH6327XTSA1 H6327 SP000870646

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

BSS123NH6327X, BSS123NH63, BSS123NH, BSS123N, BSS123, BSS12, BSS1, BSS