FDT86113LZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

100 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.7 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

4.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.2 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.8 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

FDT86113LZ

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

8 S

Otoño:

1.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

10 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.8 ns

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

FDT861, FDT8, FDT