IRFH5210TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

14.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

40 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.6 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.83 mm

Longitud:

6 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

66 S

Otoño:

6.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

21 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7.2 ns

Parte # Alias:

SP001556226

Tags

IRFH5210T, IRFH5210, IRFH521, IRFH52, IRFH5, IRFH, IRF