2SA1163-GRTE85LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-59-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 120 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 120 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 0.3 V

Corriente máxima del colector de CC:

- 100 mA

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 125 C

Serie:

2SA1163

Ganancia de corriente CC hFE Max:

700

Embalaje:

Carrete

Marca:

Toshiba

Corriente continua del colector:

- 100 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

200

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

2SA1163-G, 2SA1163, 2SA116, 2SA11, 2SA1, 2SA