2SB1326TV2Q

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

20 V

Colector- Voltaje base VCBO:

30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Corriente máxima del colector de CC:

5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

120 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

120 at 500 mA, 2 V

Altura:

4.4 mm

Longitud:

6.8 mm

Embalaje:

Ammo Pack

Ancho:

2.5 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

1500 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Tags

2SB132, 2SB13, 2SB1, 2SB