CSD13383F4T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PICOSTAR-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

44 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

FemtoFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.35 mm

Longitud:

1 mm

Serie:

CSD13383F4

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

0.64 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

5.4 S

Otoño:

315 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

123 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

96 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

39 ns

Unidad de peso:

0.000014 oz

Tags

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