NVMTS001N06CLTXG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-88-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

398.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

810 uOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

165 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

244 W

Configuración:

Drenaje cuádruple de fuente triple simple

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

275 S

Otoño:

23.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

70.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

47.2 ns

Tags

NVMT, NVM