TT8M1TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSST-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

52 mOhms, 49 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

300 mV, 1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

3.6 nC, 12 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

17 ns, 85 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

17 ns, 30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns, 120 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns, 9 ns

Parte # Alias:

TT8M1

Tags

TT8M1, TT8M, TT8