DZT658-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

400 V

Colector- Voltaje base VCBO:

400 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

500 mV

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

50 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

DZT658

Ganancia de corriente CC hFE Max:

50 at 1 mA, 5 V

Altura:

1.6 mm

Longitud:

6.5 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

3.5 mm

Marca:

Diodos incorporados

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

40 at 200 mA, 10 V

Pd - Disipación de energía:

1000 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

DZT658, DZT6, DZT