SGW10N60RUFDTM

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores IGBT

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Paquete / Caja:

D2PAK-3

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

600 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2.2 V

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Corriente continua del colector a 25 C:

16 A

Pd - Disipación de energía:

75 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Carrete

Corriente continua de colector Ic Max:

16 A

Altura:

4.83 mm

Longitud:

10.67 mm

Ancho:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corriente continua del colector:

10 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

+/- 100 nA

Tipo de producto:

Transistores IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

IGBT

Unidad de peso:

0.079014 oz

Tags

SGW10N60R, SGW10, SGW1, SGW