ARF466BG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

13 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1 Ohms

Ganar:

16 dB

Potencia de salida:

300 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Embalaje:

Tubo

Frecuencia de operación:

45 MHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconductancia directa - Mín .:

3.3 mS

Número de canales:

1 Channel

Pd - Disipación de energía:

357 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

ARF466, ARF46, ARF4, ARF