SIB455EDK-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAK-SC75-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

22 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

30 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

13 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET, PowerPAK

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

1.6 mm

Serie:

HERMANO

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

18 S

Otoño:

3.2 us

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.4 us

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

3.7 us

Tiempo típico de retardo de encendido:

0.4 us

Parte # Alias:

SIB455EDK-GE3

Unidad de peso:

0.003386 oz

Tags

SIB45, SIB4, SIB