STB11NM60-1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-262-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

450 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

160 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

8.95 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

STB11NM60

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4.4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

5.2 S

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

20 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Unidad de peso:

0.050717 oz

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