2N3838/TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

N

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Flatpack-6

Polaridad del transistor:

NPN, PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

40 V

Colector- Voltaje base VCBO:

60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.4 V

Corriente máxima del colector de CC:

600 mA

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

300 at 150 mA, 10 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

Microchip / Microsemi

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

35 at 100 uA, 10 V

Pd - Disipación de energía:

350 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

100

Subcategoría:

Transistores

Tags

2N383, 2N38, 2N3