TC8220K6-G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-12

Número de canales:

4 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6 Ohms, 7 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Configuración:

Patio

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Marca:

Tecnología de microchip

Transconductancia directa - Mín .:

400 mS, 400 mS

Otoño:

15 ns, 15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns, 15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3300

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns, 20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns, 10 ns

Unidad de peso:

0.001460 oz

Tags

TC8220, TC822, TC82, TC8