NTHS5441T1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

ChipFET-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

46 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.3 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.05 mm

Longitud:

3.05 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTHS5441T1

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.65 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

12 S

Otoño:

22 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

22 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

42 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14 ns

Unidad de peso:

0.002998 oz

Tags

NTHS5441T, NTHS5441, NTHS544, NTHS5, NTHS, NTH