2N4857A

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

JFET

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-18

Polaridad del transistor:

Canal N

Configuración:

Único

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

40 V

Corriente de drenaje-fuente a Vgs = 0:

20 mA to 100 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

40 Ohms

Pd - Disipación de energía:

360 mW

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 200 C

Serie:

2N4857

Embalaje:

A granel

Escribe:

JFET

Marca:

Semiconductor central

Voltaje de corte de puerta-fuente:

2 V to 6 V

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

40 V

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Unidad de peso:

0.011020 oz

Tags

2N4857A, 2N4857, 2N485, 2N48, 2N4