SIHFIB16N50K-E3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220FP-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

17 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

77 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

72 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

48 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.49 mm

Longitud:

10.41 mm

Serie:

E

Ancho:

4.7 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Otoño:

43 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

44 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

53 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

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SIHFIB1, SIHFIB, SIHFI, SIHF, SIH