VMMK-1225-TR1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Broadcom Limited

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

EpHEMT

Tecnología:

GaAs

Ganar:

11 dB

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 5 V to 1 V

Id - Corriente de drenaje continua:

50 mA

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

250 mW

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Embalaje:

Carrete

Frecuencia de operación:

12 GHz

Producto:

RF JFET

Escribe:

GaAs EpHEMT

Marca:

Broadcom / Avago

Transconductancia directa - Mín .:

120 mS

NF - Figura de ruido:

1 dB

P1dB - Punto de compresión:

8 dBm

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

Transistores

Tags

VMMK-122, VMMK-1, VMMK, VMM