ZXMC6A09DN8TA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

70 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

ZXMC6A

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

11 ns, 23 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.3 ns, 5.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28.5 ns, 55 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.9 ns, 4.6 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

Tags

ZXMC6A09D, ZXMC6, ZXMC, ZXM