FDG6332C-F085P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-70-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

0.7 A, - 0.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

300 mOhms, 420 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

0.6 V, - 1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

1.5 nC, 2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

0.3 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

2.8 S, 1.8 S

Otoño:

1.5 ns, 1.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7 ns, 14 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9 ns, 6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns, 5.5 ns

Tags

FDG6332C-F, FDG6332, FDG633, FDG63, FDG6, FDG