SBC847BPDW1T3G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Polaridad del transistor:

NPN, PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

45 V

Colector- Voltaje base VCBO:

50 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V, - 5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.6 V

Corriente máxima del colector de CC:

100 mA

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

BC847BP

Ganancia de corriente CC hFE Max:

450 at 2 mA, 5 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

200 at 2 mA, 5 V

Pd - Disipación de energía:

380 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

SBC847BP, SBC847B, SBC847, SBC84, SBC8, SBC