FQPF17N40

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220FP-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

400 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

270 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

56 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

16.07 mm

Longitud:

10.36 mm

Serie:

QFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

4.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

10 S

Otoño:

105 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

185 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

90 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

40 ns

Parte # Alias:

FQPF17N40_NL

Unidad de peso:

0.074950 oz

Tags

FQPF17N, FQPF17, FQPF1, FQPF, FQP