CTLDM3590 TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor central

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TLM3D6D8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

160 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

458 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

125 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

CTLDM35

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor central

Transconductancia directa - Mín .:

1.3 S

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

CTLDM3590 PBFREE TR

Tags

CTLDM3, CTLDM, CTLD, CTL