STH80N10LF7-2AG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

H2PAK-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

10 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

28.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

110 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Serie:

STH80N10LF7-2AG

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

21 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

33 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

69.3 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14.7 ns

Tags

STH80N, STH80, STH8, STH