IXTN102N65X2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Paquete / Caja:

SOT-227-4

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

76 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

30 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

152 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

595 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

HiPerFET

Embalaje:

Tubo

Serie:

X2-Class

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

50 S

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

28 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

67 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

37 ns

Unidad de peso:

1.058219 oz

Tags

IXTN1, IXTN, IXT