DMN3013LDG-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerDI3333-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

15 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

14.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

750 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

5.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.16 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

2 ns, 2.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.2 ns, 6.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9.7 ns, 10.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.2 ns, 4.4 ns

Unidad de peso:

0.001552 oz

Tags

DMN3013, DMN301, DMN30, DMN3, DMN