DMG9926UDM-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-26-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

22 mOhms, 22 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

8.3 nC, 8.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

980 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

DMG9926

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

8.9 ns, 8.9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8.2 ns, 8.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

40.4 ns, 40.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.4 ns, 8.4 ns

Unidad de peso:

0.000529 oz

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