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SI8466EDB-T2-E1

SI8466EDB-T2-E1
Mfr. #:
SI8466EDB-T2-E1
Fabricante:
Vishay
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET 8V 5.4A 1.8W 43mOhms @ 4.5V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI8466EDB-T2-E1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
SI8466EDB-T2-E1 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET - Single
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Estilo de montaje
SMD / SMT
Nombre comercial
TrenchFET MICROPIE
Paquete-Estuche
4-UFBGA, WLCSP
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
4-Microfoot
Configuración
Único
Tipo FET
Canal N MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
780mW
Tipo transistor
1 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
8V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
710pF @ 4V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
-
Rds-On-Max-Id-Vgs
43 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
700mV @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
13nC @ 4.5V
Disipación de potencia Pd
1.8 W
Otoño
20 ns
Hora de levantarse
30 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
700 mV
Id-corriente-de-drenaje-continua
5.4 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
8 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
700 mV
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
43 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
80 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
20 ns
Qg-Gate-Charge
13 nC
Transconductancia directa-Mín.
30 S
Tags
SI846, SI84, SI8
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
***ark
N-Channel 8-V (D-S) Mosfet Rohs Compliant: No
***et
N-CH MOSFET MFOOT 1X1 8V 43MOHM @ 4.5V
***i-Key
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
MicroFoot® Power MOSFETs
Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The devices' low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent unwanted under-voltage lockout.Learn More
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI8466EDB-T2-E1
DISTI # V72:2272_09216592		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
RoHS: Compliant		1632
  • 1000:$0.1651
  • 500:$0.2050
  • 250:$0.2403
  • 100:$0.2430
  • 25:$0.3052
  • 10:$0.3089
  • 1:$0.3788
SI8466EDB-T2-E1
DISTI # SI8466EDB-T2-E1CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		15174In Stock
  • 1000:$0.2119
  • 500:$0.2742
  • 100:$0.3739
  • 10:$0.4990
  • 1:$0.5900
SI8466EDB-T2-E1
DISTI # SI8466EDB-T2-E1DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		15174In Stock
  • 1000:$0.2119
  • 500:$0.2742
  • 100:$0.3739
  • 10:$0.4990
  • 1:$0.5900
SI8466EDB-T2-E1
DISTI # SI8466EDB-T2-E1TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		15000In Stock
  • 3000:$0.1875
SI8466EDB-T2-E1
DISTI # 25790159		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin Micro Foot T/R
RoHS: Compliant		1632
  • 1000:$0.1651
  • 500:$0.2050
  • 250:$0.2403
  • 100:$0.2430
  • 45:$0.3052
SI8466EDB-T2-E1
DISTI # SI8466EDB-T2-E1		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 8V 5.4A 4-Pin MICRO FOOT T/R - Tape and Reel (Alt: SI8466EDB-T2-E1)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 3000
  • 3000:$0.1829
  • 6000:$0.1829
  • 12000:$0.1819
  • 18000:$0.1819
  • 30000:$0.1809
SI8466EDB-T2-E1
DISTI # 67X6880		Vishay IntertechnologiesN-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET0
  • 1:$0.1900
  • 5000:$0.1850
  • 10000:$0.1710
  • 20000:$0.1600
  • 30000:$0.1490
  • 50000:$0.1420
SI8466EDB-T2-E1
DISTI # 78-SI8466EDB-T2-E1		Vishay IntertechnologiesMOSFET 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
RoHS: Compliant		5844
  • 1:$0.5300
  • 10:$0.3980
  • 100:$0.2950
  • 500:$0.2430
  • 1000:$0.1880
  • 3000:$0.1710
  • 6000:$0.1600
  • 9000:$0.1490
  • 24000:$0.1430
SI8466EDB-T2-E1
DISTI # C1S803603975991		Vishay IntertechnologiesMOSFETs1632
  • 250:$0.2403
  • 100:$0.2430
  • 25:$0.3052
  • 10:$0.3089
Imagen Parte # Descripción
SI8466EDB-T2-E1

Mfr.#: SI8466EDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8466EDB-T2-E1

 MOSFET 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 1 x 1
SI8466EDB-T2-E1

Mfr.#: SI8466EDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8466EDB-T2-E1-VISHAY

 IGBT Transistors MOSFET 8V 5.4A 1.8W 43mOhms @ 4.5V
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
3500
Ingrese la cantidad:
El precio actual de SI8466EDB-T2-E1 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,21 US$
0,21 US$
10
0,20 US$
2,02 US$
100
0,19 US$
19,17 US$
500
0,18 US$
90,55 US$
1000
0,17 US$
170,40 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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